重要資料
投資者請勿單憑本網頁作投資決定，應閱讀本產品的發行章程所載的詳情及風險因素。投資包含風險，概不能保證一定可付還本金。投資者應注意:
- Global X中國半導體ETF (「本基金」) 於股票證券的投資須承受一般市場風險，其價值可能因投資氣氛、政治、地緣政治及經濟狀況變動以及發行人特定因素等多種因素而波動。
- 半導體行業或會特別受經濟或市場影響，包括但不限於國內及國際競爭壓力、半導體行業迅速發展的特質令產品容易過時、半導體公司客戶的經濟表現以及資本設備開支。從事半導體行業的公司往往研發開支繁多及龐大或會導致市場上半導體行業內所有公司的證券價值下跌。
- 中國是一個新興市場。本基金投資於中國公司，該公司式涉及較高風險和特殊考慮因素，而這些特殊因素通常不涉及在較發達市場的投資，例如流動性風險、貨幣風險、政治風險、法律和稅收風險、以及可能有大幅度的波動。
- 本基金的單位於香港交易及結算所有限公司(「香港交易所」）的成交價乃受單位供求狀況等市場因素帶動。因此，單位可能以對比其資產淨值的較大溢價或折讓買賣。
- 本基金的合成模擬策略涉及將其資產淨值的最多 50%投資於金融衍生工具（主要為通過一個或多個對手方進行的融資總回報掉期交易）。與金融衍生工具有關的風險包括對手方╱信貸風險、流動性風險、估值風險、波動風險及場外交易風險。金融衍生工具容易受到價格波動及較高波動性的影響，可能存在較大買賣差價及沒有活躍二級市場。金融衍生工具的槓桿元素╱部分可造成的損失金額可能遠高於子基金投資於金融衍生工具的金額。
- 作為證券借貸交易的一部分，由於借出證券定價不準確或借出證券價值變動，故存在抵押品價值不足的風險。 這可能導致基金蒙受重大損失。借用人可能無法按時或甚至根本不能歸還借出的證券。基金可能因此蒙受損失，而追回借出的證券亦可能有延誤。這可能限制基金根據贖回要求履行交付或付款責任的能力。
- Global X 中國小巨人 ETF（“本基金” ）的投資目標是提供在扣除費用及開支前與Solactive中國小巨人指數（「指數」）表現緊密相關的投資回報。
- 指數為新指數且營運歷史較短，投資者難以評估其過往表現，故此無法保證指數的表現。本基金可能會較其他追蹤較成熟、具有較長營運歷史的指數的交易所買賣基金面臨更高風險。
- 本基金或會投資於中小型市值公司。在普遍情況下，與市值較高的公司相比，中小型市值公司的股票流動性較低，股價因不利的經濟發展而出現的波幅亦較大。
- 由於基金的投資集中於小巨人，與其他經濟行業的公司相比，小巨人的價格表現具有相對較高的波動性，因此，基金的表現或會較具有更廣泛投資組合的基金更為波動。部分分類為小巨人的公司的運營歷史相對較短。該等公司亦會面臨激烈競爭，且市場瞬息萬變可能導致該等公司所提供的產品及服務遭到淘汰，這或會對利潤率造成不利影響。該等公司亦面臨知識產權或授權丟失或損害的風險以及網絡安全風險，會導致不利的法律、財務、運營及聲譽影響。此外，基金的表現可能面臨與不同行業及主題有關的風險，包括半導體、工業、醫藥、能源及科技。該等行業或主題的公司的業務如有波動，將對基金的資產淨值造成不利影響。
- 中國內地是一個新興市場。本基金投資於中國內地公司可能包括更高的風險和不同於投資更成熟市場的特殊考量，例如流通性風險、貨幣風險或控制、政治及經濟不確定性、法律及稅務風險、結算風險、監管風險，及可能的高波動性。中國內地市場的證券交易所一般有權暫停或限制相關交易所的任何證券交易。政府或監管機構也可能制定影響金融市場的政策。上述均可能對本基金造成負面影響。
- 在創業板及／或科創板上市的公司面臨更高的股價波動及流動性風險、估值偏高風險、較不嚴格法規的風險、除牌風險及集中風險。
- 作為證券借貸交易的一部分，由於借出證券定價不準確或借出證券價值變動，故存在抵押品價值不足的風險。這可能導致本基金蒙受重大損失。借用人可能無法按時或甚至根本不能歸還證券。本基金可能因此蒙受損失，而追回借出的證券亦可能有延誤。這可能限制本基金根據變現要求履行交付或付款責任的能力。
- 本基金的合成模擬策略涉及將其資產淨值的最多50%投資於金融衍生工具（主要為通過一個或多個對手方進行的融資總回報掉期交易）。與金融衍生工具有關的風險包括對手方╱信貸風險、流動性風險、估值風險、波動風險及場外交易風險。金融衍生工具容易受到價格波動及較高波動性的影響，可能存在較大買賣差價及沒有活躍二級市場。金融衍生工具的槓桿元素╱部分可造成的損失金額可能遠高於本基金投資於金融衍生工具的金額。
- 股份於香港聯交所的成交價受市場因素，如股份的供求帶動。因此，股份可能會以本基金資產淨值的重大溢價或折讓成交。
- 從資本中或實際上從資本中撥付分派，意即退還或提取投資者原先投資或當中應佔任何資本收益的部分款項。任何有關分派可能會導致本基金的每股股份資產淨值即時減少，並將減少可供未來投資的資本。
為何華為的 3D 晶片設計至關重要
5月底，華為發布了名為「邏輯摺疊」（Logic Folding）的全新半導體設計路線圖。 核心創新在於將 3D（三維）設計引入邏輯晶片中。
在傳統晶片設計中，物理限制決定了晶體管只能直接在晶圓的單一頂層上製造。 其餘各層僅用於部署銅互連，而非用於驅動晶片效能的核心組件——晶體管。
然而，華為研發了一種利用「混合鍵合」（Hybrid Bonding）技術將兩片晶圓接合的方法。 這種架構將兩片嵌有晶體管的晶圓像三文治一樣對齊，並將銅互連層精準地放置在中央接合處。 簡而言之，這使得在相同的物理面積內，晶體管總數得以翻倍。
華為指出，這種方法能在不使用 EUV（極紫外光刻）設備的情況下，將晶體管密度提升 50%，功耗效率提升 40%。 應用此技術，僅需使用 7 納米製程節點即可生產出 3 納米級別的半導體。 此外，華為還展示了一份路線圖，計劃將其 3D 設計從兩層演進至三層甚至四層，目標是在 2031 年生產出 1.4 納米級別的半導體晶片。
其深遠影響遠超華為自身，對整個中國半導體產業具有極其重大的意義。 這些影響可歸納為三個核心問題：
- 華為的公布是否真的可信？
- 對整個中國半導體產業有何影響？
- 這對全球投資帶來了什麼啟示？
1. 華為的公布是否真的可信？
沒有任何尖端技術能保證在量產階段取得絕對成功。
然而，回顧華為過往的往績紀錄，他們能夠公開宣布這項技術，表明已作出了充分的實質準備。 例如，當華為在 2023 年 8 月宣布量產 7 納米晶片時，許多專家曾提出質疑，認為這在理論上雖然可行，但在實際操作中卻無法實現。 但最終，華為成功實現了實質量產。
當然，目前市場對華為新設計技術的懷疑與批評依然強烈。 在量產過程中解決散熱與良率問題將絕非易事。
儘管如此，華為半導體業務負責人何庭波聲稱，過去六年來已針對 3D 設計驗證了 381 款晶片，這一點值得高度關注。 這裡的「381 款晶片」並非指他們測試了由同一設計生產出來的 381 塊晶片，而是指他們向晶圓代工廠下達了 381 種完全不同設計的生產訂單。 在半導體術語中，這被稱為「流片」（Tape-out）。
一般而言，一款新晶片設計的單次流片成本高達數千萬美元。 以美國的英偉達（Nvidia）為例，該公司在發布新晶片時，通常只需在台灣的台積電（TSMC）代工廠進行 1 至 2 次流片。 相比之下，華為製造了 381 款不同的原型晶片，意味著他們在過去六年裡投入了數十億美元，僅僅為了驗證這種 3D 架構。 華為極有可能透過這一過程，已累積了相當的專業技術（Know-how），在一定程度上解決了散熱與良率問題。
華為半導體業務總裁何庭波發表「邏輯摺疊」公告
確認其商業可行性的等待時間不會太長。 華為已決定將此 3D 設計技術應用於全新麒麟（Kirin）智能手機晶片上，後者計劃於今年秋季發布。這已近在咫尺。 對於外部觀察者而言，華為新技術的成敗在不久的將來即可得到驗證。
2. 對中國半導體產業有何影響？
總結而言，向 3D 晶片設計的轉型對中國半導體供應鏈產生了廣泛的影響。 Global X 的 ETF 產品系列涵蓋了幾隻相關 ETF，已準備好從這個不斷擴大的市場機遇中受惠：
華為 3D 技術的意義遠超單一企業的成就。 從整個中國半導體產業的宏觀視角來看，這項 3D 技術計劃具有巨大的戰略意義。
本質上，它為中國半導體產業爭取了約五年的時間。 如果華為成功量產 3D 邏輯晶片，中國半導體產業將能夠在 2031 年之前，縮小或至少維持與以美國為中心的供應鏈之間的技術差距。
在此次發布之前，中國半導體產業的最先進製程一直停滯在 5 納米，而具備量產能力的節點則為 7 納米。 另一方面，台積電計劃到 2028 年開始量產其 1.4 納米級別製程。 如果這種趨勢持續下去，中美之間的半導體差距將在 2030 年左右被嚴重拉大。 在這種情況下，無論中國如何高調地倡導半導體國產化，其產品極有可能被市場淘汰。 如果兩個製程之間的差距是 5 納米對 1.4 納米，實際的晶片效能差距或將擴大至三倍以上。
然而，如果中國能透過 3D 半導體量產，在 2028 年達到 3 納米級別效能，並在 2031 年達到 1.5 納米級別，就能將與台積電的效能差距鎖定在 1.5 倍的水平。 因此，中國獲得了直至 2031 年的五年緩衝期。 在此期間，中國仍有可能自行研發出目前被視為其最大弱點的 EUV設備。
同時，從更宏觀的角度來看，華為的公告完美契合了更廣泛的中國半導體技術路線圖。
其宏大目標是實現所有半導體設計的3D化。 這不僅僅局限於華為的邏輯晶片領域。 近期日益受到重視的記憶體領域，同樣將 3D 設計視為技術演進的唯一出路。
令人矚目的是，中國在 3D 製程技術方面並未落後於全球領先者。 3D 半導體生產的核心技術是「混合鍵合」，這是一種無需黏合劑、直接透過銅互連與絕緣層的分子鍵合將兩片晶圓連接起來的技術。
事實上，全球首家將混合鍵合技術引入 NAND 領域的企業正是中國的長江存儲（YMTC）。 此外，長鑫存儲（CXMT）目前正積極推進 3D DRAM 的研發。 據科技媒體 Tom’s Hardware 報導，業界分析指出長江存儲的混合鍵合技術正流入長鑫存儲，以促進此項轉型。 華為也與長江存儲和長鑫存儲建立了緊密的技術聯盟。
換言之，長江存儲的混合鍵合專業技術正被整個中國半導體產業共享。 華為能夠發布「邏輯摺疊」，很大程度上得益於中國生態圈內這種混合鍵合技術的長期積累。
| 公司名稱 | 關鍵技術 / 設備 | Global X 中國半導體 (3191 HKD) |
Global X 中國小巨人 (2815 HK) |
備註 |
|---|---|---|---|---|
| 拓荊科技 (Piotech) | 晶圓對晶圓（W2W）混合鍵合設備 | 是 | 是 | Direct Play on 3D chip. Supplies the precise bonding tools required to fuse twin transistor layers at a molecular level. |
| 華海清科 (Hwatsing) | 化學機械平坦化（CMP）設備 | 是 | 是 | 混合鍵合的最終賦能者。無黏合劑融合晶圓需要原子級的平坦表面。在本國 CMP 設備市場佔據主導地位。 |
| 盛美半導體 (ACM Research) | Tahoe 單片晶圓清洗設備、超高頻兆聲波系統 | 是 | 是 | 微小顆粒會在 3D 鍵合過程中產生破壞性空隙。先進的封裝清洗工具保障了目標良率。 |
| 安集科技 (Anji Micro) | 先進鎢及銅 CMP 研磨液、CMP 後清洗化學品 | 是 | 是 | 3D 擴展中具備經常性營運開支（OPEX）屬性的受惠者。提供實現原子級平坦鍵合所需的高度保密化學配方。 |
| 北方華創 (NAURA) | 原子層沉積（ALD）、先進等離子刻蝕、超微細銅互連 | 是 | 否 | 對於夾層晶圓間的刻蝕至關重要。中國半導體自主可控的風向標。 |
| 中微公司 (AMEC) | 電容耦合等離子（CCP）刻蝕機、電感耦合等離子（ICP）刻蝕機 | 是 | 否 | 專攻透過絕緣層連接銅線所需的高深寬比深層刻蝕技術。 |
(資料來源：彭博，未來資產環球投資（香港），2026年5月29日)
3.這從投資角度帶來了什麼啟示？
混合鍵合等 3D 製程不可或缺的設備公司，已經在市場上獲得了關注。 一個典型的例子是拓荊科技，該公司擁有了全系列的晶圓對晶圓（W2W）和晶粒對晶圓（D2W）混合鍵合設備。此外，擁有超微細晶圓表面控制及刻蝕技術（這兩項均為混合鍵合前的關鍵先決條件）的北方華創及中微公司，亦被視為主要受惠者。
同時，在 3D 鍵合前將晶圓形貌平坦化至原子級別的 CMP 領域中小型龍頭華海清科，以及在鍵合前完美去除污染物的清洗設備龍頭盛美半導體，也經常被提及。
從更宏觀的視角來看，這項發布標誌著中國半導體產業的增長潛力再次擴展了一個台階。 歷史上，中國半導體產業的增長主要依賴兩大支柱：
首先，它在成熟製程節點、模擬及功率半導體領域的全球市佔率穩步擴張。 原本該領域與 AI 半導體趨勢相距甚遠，中國企業激進的產能擴張曾引發過度供應的擔憂。 然而，近期 AI 數據中心的爆發式增長產生了反向效應，導致對功率半導體和模擬晶片的龐大需求溢出至成熟製程領域。 由於美國和韓國的大型半導體企業正將資源全數集中於尖端 AI 晶片，全球成熟製程晶片的產能相對減少，這為中國企業創造了結構性的意外收穫。
因此，原本在 2025 年徘徊在 75% 左右的全球成熟製程代工廠產能利用率，已大幅反彈至 90% 的水平。 中國最大晶圓代工廠中芯國際（SMIC）的產能利用率正逼近 95%，而主要生產功率半導體和模擬晶片的華虹半導體（Hua Hong），其產能利用率更已突破 100%。
其次，中國正大力受惠於 AI 推理（Inference）半導體的需求。 隨著 AI 市場從訓練階段演進至推理階段，對 AI 推理半導體的需求激增。 在 AI 訓練晶片市場，中國半導體因技術差距難以與全球領先者競爭。 然而，推理晶片完全可以在中國的 7 納米代工廠內進行製造。 事實上，華為的下一代 AI 推理晶片「昇騰（Ascend）950PR」及其後續型號，已於今年進入全面大規模出貨階段，目前正錄得極高的市佔率，甚至達到國內供應無法滿足激增需求的程度。
在此之上，華為最新公布的「邏輯摺疊」為國家增添了全新的增長潛力空間。 這意味著在以往受制於 7 納米（邏輯）及 1a 納米（DRAM）瓶頸的高端半導體領域，中國供應鏈現在可以直接追趕全球領先者。 其整體潛在市場（TAM）正因此而不斷擴闊。
總結而言，向 3D 晶片設計的轉型對中國半導體供應鏈產生了更廣泛的影響。 Global X 的 ETF 產品系列涵蓋了幾隻相關 ETF，已準備好從這個不斷擴展的市場機遇中受惠：
Global X 中國半導體 ETF (3191 HKD)提供了對中國國內晶片生態圈 100% 的純粹投資敞口，而Global X 中國小巨人 ETF (2815 HKD) 則維持了顯著的科技國產化配置，其半導體權重超過 40%。
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