重要资料
投资者请勿单凭本网页作投资决定，应阅读本产品的基金说明书所载的详情及风险因素。投资涉及风险，过往业绩并不代表未来表现。概不能保证本金会获得偿还。投资者应注意：
- Global X KOSPI 200 ETF（「本基金」）的投资目标是提供在扣除费用及开支前与KOSPI 200 Index表现紧密相关的投资回报。
- 本基金因追踪单一地区或国家（韩国）的证券的表现而承受集中风险。本基金的价值可能较容易受韩国市场的经济、政治、政策、外汇、资金流动、税务、法律或监管事件的不利情况所影响。
- 由于散户交易参与度高，加上监管政策突然转变及市场情绪转变，韩国市场面临较高的波动性。韩国市场的交易亦受到熔断机制和每日涨跌幅限制的影响。
- 本基金的相关指数高度集中于其前两大成分股（即三星电子株式会社及SK 海力士半导体公司，权重可能超过本基金资产净值的50%），而这两家公司均属同一行业（即电子及科技硬件行业，专注于半导体业务)，本基金的价值可能较具有更广泛投资组合的基金更为波动。
- 本基金的相关指数的成分股包含大型或超大型市值公司，因此在经济扩张期间增长可能较慢， 亦可能难以灵活地迅速应对市场颠覆和趋势变化。
- 本基金的基础货币为韩圜，惟本基金的交易货币为港元及美元。本基金的资产净值及其表现可能会因该等货币与基础货币之间的汇率波动以及汇率管制措施的变动而受到不利影响。
- 股份于联交所的成交价受二级市场因素影响，股份可能会以本基金资产净值的重大溢价或折让成交。
- 管理人可酌情决定从本基金的资本中拨付分派。从资本中拨付分派，意即退还或提取投资者原先投资或当中应占任何资本收益的部分款项，可能会导致本基金的每股股份资产净值实时减少，并将减少可供未来投资的资本。
- 本基金可能因借用人可能无法按时或甚至根本不能归还证券蒙受损失，而追回借出证券亦可能有延误。这可能限制本基金根据赎回要求履行交付或付款责任的能力。因借出证券的定价不准确或借出证券的价值变动而导致的抵押品价值不足，可能导致本基金出现重大亏损。
内存股急挫后：Global X KOSPI 200 ETF
KOSPI 200是韩国股市的主要基准指数，成分高度集中于两大半导体巨头三星电子及SK海力士，两者合计占指数总权重约60%。因此，两家公司股价在过去一年急升，令指数波动显著加剧，7月及10月的大幅调整正是例证。
不过，我们认为近期这两家韩国半导体龙头的股价急挫反应过度，并为Global X KOSPI 200 ETF（3408 HK）带来不俗的短线交易机会。
【表】3408 HK十大持股
| 名称 | 股份代号 | 权重（%） |
|---|---|---|
| SAMSUNG ELECTRONICS | 005930 KS | 33.6 |
| SK HYNIX INC | 000660 KS | 24.6 |
| SK SQUARE | 402340 KS | 2.4 |
| SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS | 009150 KS | 2.2 |
| KB FINANCIAL GROUP INC | 105560 KS | 1.6 |
| HYUNDAI MOTOR | 005380 KS | 1.4 |
| SHINHAN FINANCIAL GROUP | 055550 KS | 1.3 |
| SAMSUNG SDI | 006400 KS | 1.1 |
| HANA FINANCIAL GROUP | 086790 KS | 1.0 |
| CELLTRION INC | 068270 KS | 1.0 |
（资料来源）未来资产环球投资（香港）有限公司，截至2026年10月15日
急挫背景：长鑫存储扩产引发供应忧虑
10月上旬及中旬市场急挫，主要源于投资者对传统DRAM供应过剩的忧虑升温。中国长鑫存储（CXMT）在9月底公布第五代（G5）平台，并于10月初宣布在4F²单元架构取得突破，触发市场恐慌。
- 第五代（LPDDR5X）：新建晶圆厂将生产3GB LPDDR5X DRAM。这类记忆体非常适合端侧AI智能手机（可运行逾100亿参数的AI模型）、AI个人电脑（24GB／48GB DRAM）、人形机械人及汽车智能座舱，意味长鑫存储将进军更广阔的DRAM市场。
- 4F² 单元架构突破： 这项公布令环球投资者大感意外，因三星电子及SK海力士等主流巨头仍未把这种架构推进至商业量产。长鑫存储计划于2026年底推出首款4F²产品——伺服器DDR5 RDIMM。市场对其制造良率仍有疑虑，但该技术与中国内地推动3D半导体架构的大方向高度契合；这种结构性微缩方式已由长江存储及华为（逻辑折叠）采用，以绕过西方光刻技术限制。
过往，环球市场普遍认定，若缺乏极紫外光（EUV）光刻设备，DRAM要突破成熟制程节点在物理上并不可行。然而，长鑫存储借着新一代垂直3D设计，显示其或可绕过地缘政治及技术设备限制。
为何传统DRAM比HBM更值得关注
必须指出，长鑫存储近期的技术突破仅限于传统DRAM，短期内对高频宽记忆体（HBM）几乎没有影响。
独立产业追踪数据显示，长鑫存储仍难以实现HBM3的稳定产出，先进HBM3e亦可能要到2028年才有望商业量产，较已于2025年达成这一里程碑的全球同业落后数年。
尽管如此，股票市场对传统DRAM价格的敏感度，仍远高于对HBM指标的反应，原因如下：
- 真正的盈利引擎：过去12个月，推动记忆体晶片制造商盈利大幅增长及股价飙升的真正动力，是传统DRAM，而非HBM。
- 价格飙升三倍：过去一年，传统DRAM现货及合约价格飙升至原来的三倍。这种强大的价格杠杆，是韩国两大半导体企业录得破纪录经营溢利的主要动力。
评估传统DRAM供应过剩的真正威胁
投资者关注的关键，是长鑫存储能否藉这些技术里程碑真正向全球市场大量供货，并拖累传统DRAM价格。长远而言，这确实构成可信的结构性威胁；但短期营运现实仍存在严重瓶颈：
- 良率瓶颈：要在新一代3D垂直晶体管技术上取得稳定、可大规模量产的良率，难度极高。
- 供应增长有限：即使计及长鑫存储进取扩产，全球传统DRAM位元供应量在未来两年（至2028年）预计仅增长约20%。供应偏紧的部分原因是「挤出效应」：一线制造商持续把传统DRAM晶圆产能转拨至HBM生产线。
- 需求加速：相较之下，在边缘AI硬件、企业伺服器升级、机械人及自动驾驶等新增需求带动下，传统DRAM的基础需求预计将轻松超越20%的供应增幅上限。
【表】至2028年传统DRAM位元供应增长预测
| 制造商 | 2026年晶圆月产能 | 2028年估算晶圆月产能 | 晶圆月产能增长率 | 伺服器／流动DRAM估算两年实际位元增长 |
|---|---|---|---|---|
| 三星电子 | ~720,000 WPM | ~895,000 WPM | 24% | 12%~15% |
| SK海力士 | ~590,000 WPM | ~800,000 WPM | 36% | 10%~13% |
| 美光 | ~375,000 WPM | ~605,000 WPM | 60% | 25%~30% |
| 长鑫存储 | ~350,000 WPM | ~500,000 WPM | 43% | 35% |
| 其他 | ~100,000 WPM | ~145,000 WPM | 45% | ~5% |
| 全球总计 | ~2.13M WPM | ~2.94M WPM | 37% | ~20% |
（资料来源）SemiAnalysis、TrendForce、未来资产环球投资（香港）有限公司，2026年10月
（注）本表不包括HBM晶圆产能；大型科技企业已锁定相关需求至2028年。
Global X KOSPI 200 ETF
这意味KOSPI 200的基本面下行空间或有限，因上述记忆体股占指数总权重达60%。
据彭博资料，KOSPI 200的未来12个月市盈率已跌至6倍，较20年历史平均的10倍大幅折让。总括而言，这轮抛售为投资者透过Global X KOSPI 200 ETF（3408 HK）部署短线交易带来不俗机会。
(852)3555 5888
提交查询