重要資料
投資者請勿單憑本網頁作投資決定，應閱讀本產品的基金說明書所載的詳情及風險因素。投資涉及風險，過往業績並不代表未來表現。概不能保證本金會獲得償還。投資者應注意：
- Global X KOSPI 200 ETF（「本基金」）的投資目標是提供在扣除費用及開支前與KOSPI 200 Index表現緊密相關的投資回報。
- 本基金因追蹤單一地區或國家（韓國）的證券的表現而承受集中風險。本基金的價值可能較容易受韓國市場的經濟、政治、政策、外匯、資金流動、稅務、法律或監管事件的不利情況所影響。
- 由於散戶交易參與度高，加上監管政策突然轉變及市場情緒轉變，韓國市場面臨較高的波動性。韓國市場的交易亦受到熔斷機制和每日漲跌幅限制的影響。
- 本基金的相關指數高度集中於其前兩大成分股（即三星電子株式會社及SK 海力士半導體公司，權重可能超過本基金資產淨值的50%），而這兩家公司均屬同一行業（即電子及科技硬件行業，專注於半導體業務)，本基金的價值可能較具有更廣泛投資組合的基金更為波動。
- 本基金的相關指數的成分股包含大型或超大型市值公司，因此在經濟擴張期間增長可能較慢， 亦可能難以靈活地迅速應對市場顛覆和趨勢變化。
- 本基金的基礎貨幣為韓圜，惟本基金的交易貨幣為港元及美元。本基金的資產淨值及其表現可能會因該等貨幣與基礎貨幣之間的匯率波動以及匯率管制措施的變動而受到不利影響。
- 股份於聯交所的成交價受二級市場因素影響，股份可能會以本基金資產淨值的重大溢價或折讓成交。
- 管理人可酌情決定從本基金的資本中撥付分派。從資本中撥付分派，意即退還或提取投資者原先投資或當中應佔任何資本收益的部分款項，可能會導致本基金的每股股份資產淨值即時減少，並將減少可供未來投資的資本。
- 本基金可能因借用人可能無法按時或甚至根本不能歸還證券蒙受損失，而追回借出證券亦可能有延誤。這可能限制本基金根據贖回要求履行交付或付款責任的能力。因借出證券的定價不準確或借出證券的價值變動而導致的抵押品價值不足，可能導致本基金出現重大虧損。
記憶體股急挫後：Global X KOSPI 200 ETF
KOSPI 200是韓國股市的主要基準指數，成分高度集中於兩大半導體巨頭三星電子及SK海力士，兩者合計佔指數總權重約60%。因此，兩家公司股價在過去一年急升，令指數波動顯著加劇，7月及10月的大幅調整正是例證。
不過，我們認為近期這兩家韓國半導體龍頭的股價急挫反應過度，並為Global X KOSPI 200 ETF（3408 HK）帶來不俗的短線交易機會。
【表】3408 HK十大持股
| 名稱 | 股份代號 | 權重（%） |
|---|---|---|
| SAMSUNG ELECTRONICS | 005930 KS | 33.6 |
| SK HYNIX INC | 000660 KS | 24.6 |
| SK SQUARE | 402340 KS | 2.4 |
| SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS | 009150 KS | 2.2 |
| KB FINANCIAL GROUP INC | 105560 KS | 1.6 |
| HYUNDAI MOTOR | 005380 KS | 1.4 |
| SHINHAN FINANCIAL GROUP | 055550 KS | 1.3 |
| SAMSUNG SDI | 006400 KS | 1.1 |
| HANA FINANCIAL GROUP | 086790 KS | 1.0 |
| CELLTRION INC | 068270 KS | 1.0 |
（資料來源）未來資產環球投資（香港）有限公司，截至2026年10月15日
急挫背景：長鑫存儲擴產引發供應憂慮
10月上旬及中旬市場急挫，主要源於投資者對傳統DRAM供應過剩的憂慮升溫。中國長鑫存儲（CXMT）在9月底公布第五代（G5）平台，並於10月初宣布在4F²單元架構取得突破，觸發市場恐慌。
- 第五代（LPDDR5X）：新建晶圓廠將生產3GB LPDDR5X DRAM。這類記憶體非常適合端側AI智能手機（可運行逾100億參數的AI模型）、AI個人電腦（24GB／48GB DRAM）、人形機械人及汽車智能座艙，意味長鑫存儲將進軍更廣闊的DRAM市場。
- 4F² 單元架構突破： 這項公布令環球投資者大感意外，因三星電子及SK海力士等主流巨頭仍未把這種架構推進至商業量產。長鑫存儲計劃於2026年底推出首款4F²產品——伺服器DDR5 RDIMM。市場對其製造良率仍有疑慮，但該技術與中國內地推動3D半導體架構的大方向高度契合；這種結構性微縮方式已由長江存儲及華為（邏輯摺疊）採用，以繞過西方光刻技術限制。
過往，環球市場普遍認定，若缺乏極紫外光（EUV）光刻設備，DRAM要突破成熟製程節點在物理上並不可行。然而，長鑫存儲藉着新一代垂直3D設計，顯示其或可繞過地緣政治及技術設備限制。
為何傳統DRAM比HBM更值得關注
必須指出，長鑫存儲近期的技術突破僅限於傳統DRAM，短期內對高頻寬記憶體（HBM）幾乎沒有影響。
獨立產業追蹤數據顯示，長鑫存儲仍難以實現HBM3的穩定產出，先進HBM3e亦可能要到2028年才有望商業量產，較已於2025年達成這一里程碑的全球同業落後數年。
儘管如此，股票市場對傳統DRAM價格的敏感度，仍遠高於對HBM指標的反應，原因如下：
- 真正的盈利引擎：過去12個月，推動記憶體晶片製造商盈利大幅增長及股價飆升的真正動力，是傳統DRAM，而非HBM。
- 價格飆升三倍：過去一年，傳統DRAM現貨及合約價格飆升至原來的三倍。這種強大的價格槓桿，是韓國兩大半導體企業錄得破紀錄經營溢利的主要動力。
評估傳統DRAM供應過剩的真正威脅
投資者關注的關鍵，是長鑫存儲能否藉這些技術里程碑真正向全球市場大量供貨，並拖累傳統DRAM價格。長遠而言，這確實構成可信的結構性威脅；但短期營運現實仍存在嚴重瓶頸：
- 良率瓶頸：要在新一代3D垂直晶體管技術上取得穩定、可大規模量產的良率，難度極高。
- 供應增長有限：即使計及長鑫存儲進取擴產，全球傳統DRAM位元供應量在未來兩年（至2028年）預計僅增長約20%。供應偏緊的部分原因是「擠出效應」：一線製造商持續把傳統DRAM晶圓產能轉撥至HBM生產線。
- 需求加速：相較之下，在邊緣AI硬件、企業伺服器升級、機械人及自動駕駛等新增需求帶動下，傳統DRAM的基礎需求預計將輕鬆超越20%的供應增幅上限。
【表】至2028年傳統DRAM位元供應增長預測
| 製造商 | 2026年晶圓月產能 | 2028年估算晶圓月產能 | 晶圓月產能增長率 | 伺服器／流動DRAM估算兩年實際位元增長 |
|---|---|---|---|---|
| 三星電子 | ~720,000 WPM | ~895,000 WPM | 24% | 12%~15% |
| SK海力士 | ~590,000 WPM | ~800,000 WPM | 36% | 10%~13% |
| 美光 | ~375,000 WPM | ~605,000 WPM | 60% | 25%~30% |
| 長鑫存儲 | ~350,000 WPM | ~500,000 WPM | 43% | 35% |
| 其他 | ~100,000 WPM | ~145,000 WPM | 45% | ~5% |
| 全球總計 | ~2.13M WPM | ~2.94M WPM | 37% | ~20% |
（資料來源）SemiAnalysis、TrendForce、未來資產環球投資（香港）有限公司，2026年10月
（註）本表不包括HBM晶圓產能；大型科技企業已鎖定相關需求至2028年。
Global X KOSPI 200 ETF
這意味KOSPI 200的基本面下行空間或有限，因上述記憶體股佔指數總權重達60%。
據彭博資料，KOSPI 200的未來12個月市盈率已跌至6倍，較20年歷史平均的10倍大幅折讓。總括而言，這輪拋售為投資者透過Global X KOSPI 200 ETF（3408 HK）部署短線交易帶來不俗機會。
(852)3555 5888
提交查詢