通過3119 HK佈局亞洲優質半導體龍頭 - Global X ETFs Hong Kong

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通過3119 HK佈局亞洲優質半導體龍頭

作者: 劉子郡

截至9月30日,2025年亞洲半導體股票表現顯著優於美國同業,Factset亞洲半導體指數年內漲幅高達39%,遠超納斯達克100指數17%和費城半導體指數28%的漲幅。(數據來源:FactSet、納斯達克、費城交易所,2025年9月30日)

這一表現差異凸顯了一個根本性的市場認知:亞洲已確立自身作爲全球半導體生態系統無可爭議的中心,尤其是在AI賦能領域。AI繁榮帶來了硬件領域的鉅額投資,而亞洲在此展現出顯著優勢。全球芯片製造支柱臺積電和內存供應關鍵角色SK海力士等行業龍頭,是此輪增長的主要貢獻者。儘管美國超大規模數據中心運營商無疑是全球AI資本開支的重要推手,但中國等亞洲國家也已加大AI投資力度,押注產業本土化以提振國內半導體產業。

觀察各區域市場動態,受寒武紀等國內AI企業的增長以及結構性本土化需求推動,中國半導體產業今年表現卓越。中國半導體自給自足的趨勢正在加速並獲得市場關注。近期行業的發展加劇了市場對此趨勢的情緒:從英偉達要求供應商暫停H20相關生產的報道開始,隨後是DeepSeek爲下一代國產AI芯片優化的V3.1模型、中國禁止企業採購英偉達AI芯片、華爲公佈雄心勃勃的三年AI芯片路線圖,以及中芯國際測試國產DUV光刻機工具。這些事件均凸顯了實現國產替代的緊迫性和協同努力。我們相信中國半導體本土化進程是一個長期的結構性趨勢。

與此同時,韓國半導體股票年內也實現強勁上漲,這主要由內存”超級週期”驅動——由於大量內存供應被AI級內存升級所佔據,導致產能短缺。韓國半導體股票表現與內存行業高度相關,三星和SK海力士是全球最大的兩家內存供應商。首先,用於AI芯片的HBM需求快速增長,同時下一代AI平臺中HBM的位密度持續提升。HBM芯片具有更大的晶粒尺寸和更低的每片晶圓產量,這意味着相比標準DRAM,其消耗了更多晶圓(即DRAM產能),從而導致DRAM供應緊張,支撐了DRAM價格。其次,頂級內存製造商計劃快速淘汰DDR4,然而智能手機市場等衆多產品仍依賴DDR4,這種供需錯配推動DDR4價格年內大幅上漲。第三,全球NAND的審慎供應策略,加上超大規模數據中心運營商對eSSD的需求,爲NAND價格提供了支撐。

日本半導體股票在2025年同樣錄得穩健漲幅,這得益於汽車和工業應用相關的設備及功率半導體需求韌性十足。半導體前道設備股雖然波動,但因2026年DRAM產能擴張前景改善而近期反彈。另一方面,與AI相關的半導體設備股,如愛德萬測試,受益於英偉達對測試設備的強勁訂單,年內表現強勁。(TrendForce, 未來資產, 2025年10月1日)

作者:

劉子郡

2025年10月15日

日期 : 2025年10月15日

分類 : 分析

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