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  • Global X亚洲半导体ETF (「本基金」) 于股票证券的投资须承受一般市场风险,其价值可能因投资气氛、政治、地缘政治及经济状况变动以及发行人特定因素等多种因素而波动。
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  • 部分亚洲证券交易所(包括中国内地)可能有权暂停或限制相关交易所的任何证券交易。政府或监管机构也可能制定影响金融市场的政策。由于进行证券交易或需取得识别码或证明书,部分亚洲市场可能有较高的投资准入壁垒。上述均可能对基金造成负面影响。
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  • 作为证券借贷交易的一部分,由于借出证券定价不准确或借出证券价值变动,故存在抵押品价值不足的风险。 这可能导致基金蒙受重大损失。借用人可能无法按时或甚至根本不能归还借出的证券。基金可能因此蒙受损失,而追回借出的证券亦可能有延误。这可能限制基金根据赎回要求履行交付或付款责任的能力。
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Global X亚洲半导体ETF(3119):半导体周期触底

作者: 陈梓泓

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Global X亚洲半导体ETF年初至今表现稳健

Global X亚洲半导体ETF提供对亚洲整个半导体供应链的多元化投资。亚洲公司在晶圆代工、记忆体和半导体设备等多个细分领域位居全球领先地位。该基金年初至今的积极回报1可归因于两个主要因素:其一,大多数半导体类别(包括逻辑和记忆体)的周期已经触底。其二,人工智能商业化的进程加快,使得对人工智能相关半导体的需求增加。

记忆体周期触底

对过去4个周期的分析表明,记忆体股票价格通常在库存峰值之前或之后触底,而DRAM价格通常在库存峰值之后触底。记忆体类股票价格走强的原因是:1) 更明显的周期触底,因为记忆体制造商预计其库存将在2023年第二季度达到峰值。2023年上半年DRAM价格已触及现金成本,投资者认为当前水平的下行空间有限1。2) 三大DRAM供应商均减产。美光于去年底宣布减产超过20%,今年SK海力士和三星紧随其后2。生产商较低的位元成长率将有助于加快库存水平的正常化。3) DDR5(双倍数据速率)的普及率不断提高以及AI伺服器采用HBM(高频宽记忆体)提高了记忆体需求和混合定价1

作者:

陈梓泓

2023年07月05日

日期 : 2023年07月05日

分類 : 分析

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